reg-ios.spin & Byt/word/long lesen und schreiben im eRAM

[PIC18F2550]

Die Anordnung der Daten von 4x ios.ram_rdbyte(sys,adresse) ist anderst als bei ios.ram_rdlong(sys,adresse).

Warum soll ich 4x ios.ram_rdbyte(sys,adresse) aufrufen wenn 1x ios.ram_rdlong(sys,adresse) das auch könnte.

Ich will nichts am IOS vorbei zaubern nur das IOS will Daten wie Adressenablage eines Z80 behandeln.

[drohne235]

Verstehe ich immer noch nicht: Wenn ich 4x ram_rdbyte mit aufsteigender Adresse mache, habe ich vier Bytes, welche ich doch problemlos in meinem Code so zusammensetzen kann, wie ich das mit ram_rdlong bekomme!? ram_rdlong liest doch passend zu ram_wrlong, halt LE. Wenn ich Bytes lese, komemn die bei aufsteigender Adresse doch genau in der richtigen Reihenfolge, wie man das bei LE erwartet. Und richtig, LE ist wie Z80 - warum auch nicht? Warum sollte ich jetzt BE machen, wie z.Bsp. beim M68000?

[unick59]

Ich denke die Reihenfolge der Bytes bei den eRAM-befehlen/routinen des IOS sollte einheitlich genauso sein, wie bei den adäquaten Assembler-Befehlen rdlong und wrlong bzw. rdbyte, wrbyte des Props. Alles andere macht konfus und binnen kurzer Zeit weiß niemand mehr, warum das anders ist.

Gruß Uwe

[yeti]

Spricht irgendwas dagegen, sowas in eine Bibliothek (Neuparallaxsprech: ein Objekt) zu packen und mit dem OS zusammen zu pflegen, aber es eben nicht in den "Kern" zu stecken?

[drohne235]

Spricht irgendwas dagegen, sowas in eine Bibliothek (Neuparallaxsprech: ein Objekt) zu packen und mit dem OS zusammen zu pflegen, aber es eben nicht in den "Kern" zu stecken?

Gute Idee.